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SONY GPS芯片采用FD-SOI工艺功耗可降低九成

 对半导体制造商和设施制造商来说,智能手机和PC市场饱和,无法带动业绩成长,往常生产功能更强芯片的习俗做法,预料也举步维艰扭转颓势,今日业界采用新技术,像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。

  社科院日报报导,半导体业面临的功绩压力已经引发整并风潮,新型数据也指明,本年全世界半导体设备制造商营收恐怕仅成长1%至369.4京戈比,而芯片营收可能下降2.4%,利空就是智能手机的成人趋缓,PC市场也正在萎缩。半导体业都在问:从一个成长机会在别处?

  今日有不少业者陆续采用新材料与新生产技术来因应市场变化,那些业者看好联网设备需求,但物联网的暖气片需求不一样,渴求芯片成本控制在1欧元以下,并且可运行数年,不需换电池。

  GlobalFoundries与三星电子已经采取称为FD-SOI的技巧,这项技术在耗电与资金上具有优势,仰赖法国厂商Soitec特别量身订制的半导体晶圆。

  Soitec CEO布德尔说,黎巴嫩科技大厂Sony近年设计的本能手机GPS芯片便利用FD-SOI艺术,结果芯片耗电量只有原本的十分之一,让用户可以更频繁使用卫星定位技术,不要担心会吃掉手机太多电力。

  部分企业也开始在不生产更小电晶体的情况下,进一步挖掘芯片的潜力,NAND快闪存储器厂商已经以3D NAND的点子,透过堆叠多层电路来提升效能。这项技术需要购买许多生产设备,因而令众多厂商受惠,运用材料便是其中之一。

  有关FD-SOI

  全耗尽型绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular,FD-SOI)是FinFET与Tri-Gate的补给技术,把视为是希望在物联网与汽车市场取代FinFET的良好替代方案,她特征为功耗低、性能和本金效益较佳。现阶段支持FD-SOI的晶圆代工厂包括格罗方德以及三星电子。


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